En collaboration avec le CEA-Leti/D2NT nous avons fournit une explication poussée du phénomène en jeu. Pour cela, il a fallu réaliser des mesures de conductance à 50 mK sur un transistor dont le canal est tout petit dans les 3 directions et contient donc seulement quelques dopants. La spectroscopie à 50mK fait apparaître les pics de conductance (totalement lissés à 300K) attribuables à un dopant unique qui s’ionise (libère un électron) à une tension bien définie. Or cette tension dépend du couplage du dopant avec la silice qui sert de substrat, ainsi que l’avaient prédit théoriquement des travaux antérieurs de notre laboratoire et du l’IEMN à Lille. C’est le dopant le plus éloigné de la grille qui est à l’origine du courant indésirable.
Conséquence pratique : une grille annulaire est plus favorable qu’une grille planaire.
Conductance source–drain différentielle en fonction des tensions de grille et de drain, mesurée à 4,2 K sur un transistor contenant quelques atomes de dopant.