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Fait marquant | résultat scientifique

Une seule couche atomique pour générer efficacement de la lumière UV profonde


​​​​​Les sources de lumière dans l'ultraviolet profond (UVC) sont essentielles pour des applications telles que la purification de l'eau, la désinfection de l'air et des surfaces, ainsi que les diagnostics biomédicaux. Cependant, obtenir des émetteurs semi-conducteurs efficaces à des longueurs d'onde inférieures à 240 nm reste extrêmement difficile en raison de limitations fondamentales des dispositifs à base d'AlGaN.

Des chercheurs du CEA-IRIG/PHELIQS, en collaboration avec le CEA-LETI et l'Institut Néel-CNRS, ont démontré que des puits quantiques multiples AlGaN/AlN d'épaisseur d'une seule couche atomique peuvent constituer un milieu actif très efficace pour l'émission dans l'UV profond. Ces nanostructures ont été élaborées par épitaxie par jets moléculaires et étudiées comme régions actives pour des émetteurs UV pompés par faisceau d'électrons.​

Publié le 20 mai 2026

​​En réduisant l'épaisseur des puits quantiques jusqu'à une seule couche atomique et en ajustant leur composition, l'équipe a obtenu un décalage spectral de l'émission jusqu'à 235 nm, avec des rendements quantiques internes dépassant 50 % à cette longueur d'onde à température ambiante. L'étude montre que cette amélioration de l'efficacité provient d'une forte localisation des porteurs dans le plan des couches, qui limite leur diffusion vers les défauts non radiatifs et favorise la recombinaison radiative.

Dans les émetteurs UV profonds à base de nitrures, la polarisation de la lumière émise est un facteur clé qui détermine l'efficacité d'extraction de la lumière. Dans ce travail, des longueurs d'onde d'émission plus courtes sont obtenues grâce à des puits quantiques ultraminces à forte teneur en gallium. Cette approche permet de maintenir une polarisation transverse électrique (champ électrique parallèle à la surface de l'échantillon) jusqu'à des longueurs d'onde plus courtes que dans les structures conventionnelles riches en aluminium, où la polarisation transverse magnétique (champ électrique perpendiculaire à la surface) domine généralement. Par conséquent, cette conception devrait améliorer l'efficacité d'extraction de la lumière dans des dispositifs pratiques.


Figure : (Gauche) Évolution spectrale de l'émission des puits quantiques GaN et AlGaN en fonction de l'épaisseur du puits quantique. La réduction de l'épaisseur jusqu'au régime d'une seule couche atomique (1 ML) provoque un fort décalage vers le bleu de l'émission, permettant d'atteindre des longueurs d'onde dans l'UV profond jusqu'à 235 nm. (Centre) Diagrammes polaires de l'intensité de luminescence illustrant les caractéristiques de polarisation de l'émission pour des échantillons représentatifs émettant à différentes longueurs d'onde. (Droite) Image de microscopie électronique en transmission de puits quantiques de GaN d'une épaisseur d'une seule couche atomique (1 ML).​
©CEA-Irig/PHELIQS/NPSC​​


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Une comparaison systématique avec d'autres nanostructures nitrures élaborées dans le même réacteur montre que les puits quantiques ultraminces surpassent à la fois les boîtes quantiques et les hétérostructures en nanofils pour des émissions inférieures à 240 nm, soulignant leur potentiel pour les sources UVC de nouvelle génération.

Ces résultats ouvrent des perspectives prometteuses pour le développement de sources UV compactes et sans mercure destinées à des applications environnementales et biomédicales.

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