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Guillaume Rosaz

Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil

Publié le 11 décembre 2012


Thèse soutenue le 11 décembre 2012 pour obtenir le grade de docteur de l'Université de Grenoble - Spécialité : Nano-électronique et nano-technologies

Résumé :
Le but de cette thèse est de réaliser et d’étudier les propriétés électroniques d’un transistor à canal nanofil monocristallin à base de Si/SiGe, élaboré par croissance CVD-VLS, à grille enrobante ou semi-enrobante en exploitant une filière technologique compatible CMOS. Ces transistors vont nous permettre d’augmenter la densité d’intégration et de réaliser de nouvelles fonctionnalités (par exemple : des interconnections reconfigurables) dans les zones froides d’un circuit intégré. La thèse proposée se déroulera dans le cadre d'une collaboration entre le laboratoire LTM-CNRS et le laboratoire SiNaPS du CEA/INAC/SP2M et utilisera la Plateforme Technologique Amont (PTA) au sein du pôle MINATEC.

Jury :
Président : Dr Gérard Ghibaudo
Rapporteur : Pr Jean-Luc Autran
Rapporteur : Dr Emmanuel Dubois
Examinateur : Dr Guilhem Larrieu
Examinateur : Dr Jean-Louis Leclercq
Directeur de thèse : Dr Thierry Baron
Encadrant de thèse : Dr Bassem Salem
Co-encadrant de thèse : Dr Nicolas Pauc

Mots clés :
Nanofil, Intégration 3D, Transistor vertical, Hétérostructures, SiGe, Grille enrobante

Thèse en ligne.