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Fait marquant | résultat scientifique

Mesure sans étalonnage de la température des phonons autour d'un émetteur unique


​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​​Les boîtes quantiques semi-conductrices sont des composants essentiels des technologies quantiques émergentes, notamment dans les domaines de l'informatique quantique, des communications quantiques et de la détection quantique. Cependant, leurs propriétés sont extrêmement sensibles à leur environnement local, en particulier à la température du réseau cristallin environnant. Les méthodes traditionnelles de mesure de la température ne fournissent que des données globales ou macroscopiques, et ne permettent pas de déterminer la température locale à l'échelle nanométrique, là où se trouve l'émetteur quantique.

Publié le 3 avril 2026

Des chercheurs du CEA-IRIG/PHELIQS, en collaboration avec l'Institut Néel-CNRS, ont mis au point une méthode ne nécessitant aucun étalonnage pour mesurer la température absolue à partir de la distribution de Bose-Einstein des phonons acoustiques autour d'un émetteur quantique unique. Cette approche repose sur l'analyse des bandes latérales de phonons dans le spectre de photoluminescence de l'émetteur, offrant ainsi un moyen direct de déterminer la température de l'environnement d'un émetteur à boîte quantique à l'échelle nanométrique.

Notre méthode exploite une interaction fondamentale entre l'émetteur quantique et son environnement. Lorsqu'un émetteur (tel qu'une boîte quantique) absorbe ou émet de la lumière, il interagit également avec les phonons, ces vibrations du réseau cristallin qui transportent la chaleur. Ces interactions confèrent des caractéristiques distinctives à la lumière émise par la boîte quantique :

  • Un pic étroit appelé « raie zéro-phonon » (ZPL), correspond à la lumière émise sans interaction avec les phonons.

  • Des « ailes » plus larges de part et d'autre, appelées bandes latérales phononiques, résultent de processus d'émission de photons accompagnés de la création simultanée (processus de Stokes) ou de l'absorption (processus anti-Stokes) d'un phonon.

À basse température, la bande latérale anti-Stokes (à plus haute énergie) est très peu intense car il y a peu de phonons disponibles à absorber, tandis qu'à haute température, son intensité augmente. Nous montrons que le rapport entre les intensités Stokes et anti-Stokes donne directement la température locale. Le graphique représentant le logarithme de ce rapport en fonction du décalage en énergie par rapport à la ZPL forme une droite dont la pente permet de déterminer la température sans qu'aucun étalonnage ne soit nécessaire.​


Figure : a) Spectre d'émission (QD) ; b) Température locale obtenue à partir du rapport entre les intensités Stokes et anti-Stokes ; c) Image au MEB d'un point quantique (QD) de CdSe dans un nanofil de ZnSe ; d) Excitation laser entraînant l'échauffement du QD ; e) Température des phonons en fonction de la température du cryostat pour une puissance d'excitation de 21 µW.

La méthode a été validée sur une large plage de températures (6–100 K) à l'aide d'une boîte quantique de CdSe intégrée dans un nanofil de ZnSe. À 6 K, l'excitation laser a fait monter la température locale à 55 K en raison de la faible conductivité thermique du nanofil. À mesure que la température du cryostat augmentait, la température locale s'est rapprochée de la valeur macroscopique, indiquant un meilleur équilibre thermique. Une puissance laser plus élevée a provoqué un échauffement local important, soulignant la nécessité de contrôler les conditions d'excitation. Cette approche a également été appliquée avec succès à des boîtes quantiques InAs/GaAs et à des émetteurs WSe₂, démontrant ainsi sa large applicabilité.​​ 

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