En analysant les propriétés d'émission des centres G individuels, nous montrons que la dynamique de leur mouvement est fortement liée aux perturbations de l'environnement cristallin. En particulier, la membrane en silicium sur isolant (SOI) - couramment utilisée en microélectronique et en nanophotonique - présente un champ de déformation inhomogène, qui perturbe chaque défaut de manière spécifique. En conséquence, l'atome mobile du centre G, qui serait parfaitement délocalisé entre 6 sites dans le cas non perturbé, saute aléatoirement entre les différentes positions sous excitation optique, comme une bille dans une roulette à 6 cases. En combinant l'analyse spectrale et l'analyse de polarisation, nous pouvons relier les lignes d'émission du centre G à des sites cristallins spécifiques.

Le prochain défi consiste à contrôler la dynamique de reconfiguration des centres G uniques dans le silicium. Les pistes d'exploration comprennent l'ingénierie de la déformation et le développement de protocoles d'excitation résonnante pour verrouiller la position de l'atome mobile sur un site cristallin spécifique. Une autre direction de recherche prometteuse consiste à étudier comment la reconfiguration atomique du centre G influence son degré de liberté quantique de spin.​