Dans cette thèse, je présente les travaux réalisés sur différents types de dispositifs, chacun d’entre eux nous permettant de comprendre des propriétés fondamentales sur la qualité du matériau de l’hétérostructure Ge/SiGe elle-même ou certaines physiques liées à l’interaction entre la géométrie du dispositif, les propriétés du semi-conducteur et la supraconductivité. J’ai conçu, fabriqué et mesuré des dispositifs tels que des barres de Hall, des transistors à effet de champ à jonction Josephson (JOFETS), des transmons supraconducteurs accordables par la porte (gatemon) et des contacts à point quantique (QPC) à proximité d’un super/semi-contact. ​
Les résultats initiaux sur les barres de Hall et les JOFETS guident la conception de dispositifs plus avancés tels que le qubit supraconducteur gatemon ou l’utilisation des QPC pour sonder la nature de l’effet de proximité supraconducteur dans le Ge. Dans l’ensemble, ce travail présente une étude de notre système matériel de contacts en aluminium avec des puits quantiques en Ge dans des hétérostructures SiGe, spécifiquement dans le contexte de dispositifs hybrides supraconducteurs et semi-conducteurs, en utilisant la stratégie actuelle de fabrication de dispositifs et de contacts. Des comparaisons avec d’autres matériaux sont effectuées dans la mesure du possible afin de replacer ces résultats dans leur contexte.​