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Fait marquant

Un dispositif à nanofil multifonctionnel



​A partir d'un nanofil de silicium unique, nous avons réalisé le premier prototype d'un dispositif multifonctionnel qui peut être utilisé comme transistor à effet de champ, diode Schottky ou diode p n. 

Publié le 16 janvier 2009
Le nanofil que nous avons fabriqué est fin (Ø 40 nm) et non dopé. Il est déposé sur un substrat contenant deux électrodes de grille en aluminium, puis deux électrodes (source et drain) en nickel sont fabriquées aux extrémités du fil. Par recuit à 500°C, le nickel diffuse et fait croître dans le fil une zone métallique de siliciure de nickel. La diffusion est arrêtée lorsque les interfaces silicium/siliciure sont à l’aplomb des grilles. C’est la clé du fonctionnement versatile de ce dispositif : selon les polarisations des deux grilles, les barrières Schottky aux interfaces métal/semi-conducteur sont abaissées ou relevées et le système se comporte comme un transistor ou une diode.

Nanofil de silicium en contact avec des électrodes source et drain en nickel. GS et GD sont des grilles électrostatiques qui permettent de modifier le comportement du dispositif : transistor ou diode.

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