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Fait marquant

Transport électrique dans un nanofil unique


En collaboration avec des chercheurs du CRNS à l’Université de Sherbrooke, nous avons utilisé la technique du « courant induit par faisceau d’électron », ou EBIC, pour caractériser la diffusion électronique dans un nanofil de silicium et en particulier (i) mesurer une longueur de diffusion de 200 nm (ii) mesurer un zone de déplétion de 150 nm. 

Publié le 16 février 2009
Une jonction Schottky est engendrée par l’interface entre le nanofil et la nanobille d’or qui a catalysé sa croissance. Les paires électron-trou créées dans le silicium par le faisceau électronique d’un MEB sont dissociées par le champ électrique interne de cette jonction. En établissant deux contacts électriques, sur le substrat de silicium d’une part, sur la bille d’or via un micromanipulateur d’autre part, il apparaît alors un courant mesurable ; le balayage électronique du MEB permet à la fois de visualiser la jonction et de mesurer ses caractéristiques.

Micrographie électronique à balayage d’un nanofil de silicium entre deux contacts conducteurs.

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